Nitruro de galio-indio
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El nitruro de galio-indio (InGaN, IndioxGalio1-xNitruro) es un material semiconductor hecho de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de Indio en la aleación.[1] En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7.[2]