利用者:加藤勝憲/メモリセル
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メモリー・セルは、コンピューター・メモリーの基本的な構成要素である。メモリ・セルは1ビットの2進情報を記憶する電子回路であり、論理1(高電圧レベル)を記憶するように設定され、論理0(低電圧レベル)を記憶するようにリセットされなければならない。その値は維持される。
コンピューティングの歴史の中で、磁気コアメモリや磁気バブルメモリなど、さまざまなメモリー・セル・アーキテクチャが使われてきた。今日、最も一般的なメモリセルアーキテクチャは、金属酸化膜半導体(MOS)メモリセルで構成されるMOSメモリである。現代のランダム・アクセス・メモリ(RAM)は、MOS電界効果トランジスタ(MOSFET)をフリップフロップとして使用し、ある種のRAMにはMOSキャパシタも使用する。
SRAM(スタティックRAM)メモリー・セルはフリップフロップ回路の一種であり、通常はMOSFETを用いて実装される。アクセスされていないときに記憶値を保持するため、非常に低い電力を必要とする。第2のタイプであるDRAM(ダイナミックRAM)は、MOSキャパシタをベースにしている。キャパシタを充放電することで、セルに「1」または「0」を記憶させることができる。しかし、このキャパシタの電荷は徐々に漏れていくため、定期的にリフレッシュする必要がある。このリフレッシュ・プロセスのため、DRAMはより多くの電力を消費する。しかし、DRAMはより高い記憶密度を達成できる。
一方、ほとんどの不揮発性メモリ(non-volatile memory、NVM)は、浮遊ゲートMOSFETメモリセルアーキテクチャに基づいている。EPROM、EEPROM、フラッシュ・メモリなどの不揮発性メモリー技術は、フローティング・ゲートMOSFETトランジスターを中心とした浮遊ゲートMOSFETメモリー・セルを使用している。