Pengguna:Dare2Leap/Bak pasir 3
From Wikipedia, the free encyclopedia
Sel memori adalah dasar pembangun memori komputer. Sel memori adalah sirkuit elektronik yang menyimpan sebuah bit informasi biner dan harus disetel untuk menyimpan bit 1 logika (level tegangan tinggi) dan disetel ulang untuk menyimpan bit 0 logika (level tegangan rendah). Nilainya dijaga/disimpan sampai diubah oleh proses setel/setel ulang. Nilai dalam sel memori dapat diakses dengan membacanya.
Dalam sejarah komputasi, berbagai arsitektur memori sel digunakan, termasuk memori inti dan memori gelembung. Sekarang, arsitektur sel memori yang paling umum adalah memori MOS, yang terdiri atas sel memori semikonduktor logam-oksida. Memori akses acak (RAM) menggunakan transistor efek-medan MOS (MOSFET) sebagai flip-flop dan kapasitor MOS untuk beberapa jenis RAM.
Sel memori SRAM (RAM statik) adalah jenis sirkuit flip-flop, yang biasanya diterapkan menggunakan MOSFET. Mereka menggunakan daya yang sangat rendah untuk menjaga nilai yang disimpan ketika tidak diakses. Jenis kedua, DRAM (RAM dinamis) berbasis kapasitor MOS. Mengisi dan menghabiskan kapasitor bisa menyimpan '1' atau '0' dalam sel. Namun, listrik dalam kapasitor ini akan bocor perlahan-lahan, dan harus disegarkan secara berkala. Karena proses penyegaran ini, DRAM menggunakan lebih banyak daya. Namun, DRAM bisa menyimpan lebih banyak data dalam suatu area.
Pada sisi lain, sebagian besar memori non-volatil (NVM) berbasis arsitektur sel memori gerbang mengambang. Teknologi memori non-volatil, seperti EPROM, EEPROM, dan memori flash menggunakan sel memori gerbang mengambang, yang berbasis transistor MOSFET gerbang mengambang.