Nanoelectrònica
From Wikipedia, the free encyclopedia
La nanoelectrònica fa referència a l'ús de la nanotecnologia en components electrònics. El terme cobreix un conjunt divers de dispositius i materials, amb la característica comuna que són tan petits que les interaccions interatòmiques i les propietats mecàniques quàntiques s'han d'estudiar àmpliament. Alguns d'aquests candidats inclouen: electrònica molecular/semiconductora híbrida, nanotubs/nanofils unidimensionals (per exemple, nanofils de silici o nanotubs de carboni) o electrònica molecular avançada.[1][2]
Els dispositius nanoelectrònics tenen dimensions crítiques amb un rang de mida entre 1 nm i 100 nm.[3] Les generacions recents de tecnologia MOSFET de silici (transistor d'efecte de camp d'òxid metàl·lic, o transistor MOS) ja estan dins d'aquest règim, incloent nodes CMOS de 22 nanòmetres (MOS complementaris) i FinFET (camp d'aleta) de 14 nm, 10 nm i 7 nm. transistor d'efecte) generacions. La nanoelectrònica es considera de vegades com una tecnologia disruptiva perquè els candidats actuals són significativament diferents dels transistors tradicionals.[4]